泰克2604B數(shù)字源表

2600B系列系統(tǒng)數(shù)字源表源測(cè)量單元（SMU）儀表是業(yè)界yi流的電流/電壓源 與測(cè)量解決方案，它是利用吉時(shí)利第三代源測(cè)量單元（SMU）技術(shù)建造的。2600B 系列產(chǎn)品包括單通道和雙通道型號(hào)，集成了高精密電源、真正電流源、6位半數(shù)字多用表（DMM）、任意波形發(fā)生器、脈沖發(fā)生器以及電子負(fù)載等功能——這些功能都在一個(gè)高度集成的儀器機(jī)箱內(nèi)。這是一個(gè)功能強(qiáng)大的解決方案，大大提高了從臺(tái)式 I/V特性分析道高度自動(dòng)化生產(chǎn)測(cè)試等各種應(yīng)用中的測(cè)試效率。對(duì)于臺(tái)式應(yīng)用，2600B系列數(shù)字源表內(nèi)置基于Java的測(cè)試軟件，支持即插即用I/V測(cè)試，可以通過世界各地任何計(jì)算機(jī)瀏覽器運(yùn)行。對(duì)于自動(dòng)化系統(tǒng)應(yīng)用，2600B系列數(shù)字源表的測(cè)試腳本處理器(TSP)，可以運(yùn)行儀器內(nèi)存儲(chǔ)的完整測(cè)試程序，實(shí)現(xiàn)業(yè)界*的吞吐量。在更大型的多通道應(yīng)用中，吉時(shí)利的TSP-Link技術(shù)與TSP協(xié)同工作，實(shí)現(xiàn)了高度、SMU-per-pin并行測(cè)試。由于2600B系列數(shù)字源表源測(cè)量單元（SMU）儀表具有不需要主機(jī)的、*隔離的通道，因此，可以根據(jù)測(cè)試應(yīng)用需求的進(jìn)展，很容易進(jìn)行重新配置和重新部署。

基于Java的即插即用I/V測(cè)試軟件

2600B系列數(shù)字源表是唯yi內(nèi)置基于Java測(cè)試軟件的源測(cè)量單元（SMU）儀表， 支持真正的即插即用I/V特性分析，可以通過世界各地任何計(jì)算機(jī)瀏覽器運(yùn)行。這個(gè)*功能提高了研發(fā)、教育和QA/FA等各種應(yīng)用的測(cè)試效率。只需通過附送的 LAN電纜，將2600B數(shù)字源表連接至互聯(lián)網(wǎng)，打開瀏覽器，輸入2600B的IP低至，即可開始測(cè)試。測(cè)試結(jié)果可以下載之電子數(shù)據(jù)表（如Excel），供進(jìn)一步的分析和格式化，或者導(dǎo)入其他文檔或演示文稿。

采用TSP技術(shù)，提供*的吞吐量，適合自動(dòng)測(cè)試

對(duì)于需要zui高自動(dòng)化和吞吐量級(jí)別的測(cè)試應(yīng)用來說，2600B數(shù)字源表的TSP技術(shù)提供了業(yè)界*的性能。TSP技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越傳統(tǒng)的測(cè)試命令序列……它*嵌入，然后，在源測(cè)量單元（SMU）儀器內(nèi)部執(zhí)行完整的測(cè)試程序。這實(shí)際上避免了所 有耗時(shí)的總線-PC控制器之間的通信，因此，大幅縮短整個(gè)測(cè)試時(shí)間。

TSP技術(shù)將執(zhí)行來自2600B系列數(shù)字源表內(nèi)非易失性存儲(chǔ)的完整測(cè)試程序。

通過TSP-Link技術(shù)，實(shí)現(xiàn)SMU-Per-Pin并行測(cè)試

TSP-Link是通道擴(kuò)展總線，支持多 個(gè)2600B系列數(shù)字源表互連，成為一個(gè)單 一、嚴(yán)格同步的多通道系統(tǒng)。2600B的 TSP-Link技術(shù)與其TSP技術(shù)協(xié)同工作，支 持高速、SMU-per-pin并行測(cè)試。與大型 自動(dòng)測(cè)試設(shè)備系統(tǒng)等其他高速解決方案 不同的是，2600B在無需主機(jī)成本或負(fù)擔(dān) 情況下，實(shí)現(xiàn)了并行測(cè)試性能?；赥SP -Link技術(shù)的系統(tǒng)，還支持出眾的靈活性， 可以根據(jù)測(cè)試需求的變化，迅速而容易 地對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行重新配置。

在TSP-Link系統(tǒng)中，所有通道的同步都控制在 500ns以內(nèi)。

2400型軟件仿真

2600B系列數(shù)字源表，與為吉時(shí)利2400 型數(shù)字源表源測(cè)量單元（SMU）儀表開發(fā)的測(cè)試代碼兼容。這使得基于2400型數(shù)字源 表的測(cè)試系統(tǒng)更容易地升級(jí)至2600B系列， 并使測(cè)試速度提高高達(dá)80%。此外，它還提供了從SCPI編程轉(zhuǎn)到吉時(shí)利TSP技術(shù)的過渡路徑，實(shí)施后，可以進(jìn)一步縮短測(cè)試時(shí)間。
為了全面支持遺留的測(cè)試系統(tǒng)，在這個(gè)模式下，還*支持2400型源存儲(chǔ)清單測(cè)試序列。

第三代SMU設(shè)計(jì)，確保實(shí)現(xiàn)更快的測(cè)試時(shí)間

在早期2600系列儀器成熟的架構(gòu)基礎(chǔ) 上，2600B系列的源測(cè)量單元（SMU） 儀表設(shè)計(jì)從幾個(gè)方面提高了測(cè)試速度。例 如，早期的設(shè)計(jì)采用的是并聯(lián)電流量程調(diào) 節(jié)結(jié)構(gòu)，而2600 B系列采用了已申請(qǐng)專li 的串聯(lián)量程調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)具有更快 更平滑的量程變換過程和穩(wěn)定速度更快的 輸出。

SMU-Per-Pin并行測(cè)試采用TSP與TSP-Link技術(shù)，提高測(cè)試吞吐量，并降低測(cè)試成本。

2600B系列數(shù)字源表源測(cè)量單元 （SMU）儀表設(shè)計(jì)支持對(duì)各種負(fù)載使用 兩種操作模式。在普通模式下，源測(cè) 量單元（SMU）儀表為大吞吐量提供 高帶寬性能。在高電容模式下，源測(cè) 量單元（SMU）儀表使用較慢的帶寬， 為較高電容負(fù)載提供魯棒的性能。

簡(jiǎn)化半導(dǎo)體元件測(cè)試、驗(yàn)證與分析

可選配的ACS Basic版本軟件實(shí)現(xiàn)了客戶效率的大化，使客戶可以在開發(fā)、質(zhì)量認(rèn)證或故障分析中，對(duì)封裝器件進(jìn)行特性分析。主要特性包括：

• 內(nèi)容豐富、易于訪問的測(cè)試庫
• 腳本編輯器，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有測(cè)試的快速定制
• 數(shù)據(jù)工具，便于迅速比較測(cè)試結(jié)果
• 公式工具，便于分析俘獲的曲線，并提供多種數(shù)據(jù)函數(shù)。

欲了解有關(guān)ACS Basic版本軟件的更多信息，參見ACS Basic版本數(shù)據(jù)表。

強(qiáng)大的軟件工具

除了基于Java的嵌入式即插即用軟 件以及可選配的ACS Basic版本軟件，免 費(fèi)Test Script Builder軟件工具，可以 幫助用戶創(chuàng)建、修改、調(diào)試和存儲(chǔ)TSP測(cè) 試腳本。圖1給出2600B系列數(shù)字源表軟 件工具的主要特性。

2600B系列產(chǎn)品3個(gè)型號(hào)的雙通道 臺(tái)式數(shù)字源表，提供業(yè)界*的價(jià)值 和性能

如果想調(diào)試設(shè)計(jì)問題，首先必須知道存在問題。每個(gè)設(shè)計(jì)工程師都要用大量的時(shí)間查找電路中的問題，如果沒有合適的調(diào)試工具，這項(xiàng)任務(wù)耗時(shí)長、非常麻煩。

為了滿足那些不需要yi流系統(tǒng)級(jí)自 動(dòng)化能力的應(yīng)用需求，吉時(shí)利對(duì)2600B系 列數(shù)字源表進(jìn)行了擴(kuò)展，推出3中的 高性價(jià)比臺(tái)式型號(hào)產(chǎn)品——2604B、2614B和 2634B。這些型號(hào)產(chǎn)品性能分別與2602B、 2612B和2636B相似，但它們不包括TSP Link、接觸檢查以及數(shù)字I/O能力。

完整的自動(dòng)化系統(tǒng)解決方案

吉時(shí)利S500綜合測(cè)試系統(tǒng)是基于儀 器的、可高度配置的系統(tǒng)，適合器件、 晶圓或晶圓盒的半導(dǎo)體特性分析。S500 綜合測(cè)試系統(tǒng)基于已被證明的2600系列 系統(tǒng)數(shù)字源表源測(cè)量單元（SMU），提供 創(chuàng)新的測(cè)量特性與系統(tǒng)靈活性，可以根據(jù)需求進(jìn)行升級(jí)。其*的測(cè)量能力， 再加上強(qiáng)大而靈活的自動(dòng)特性分析套 件(ACS)軟件，為客戶提供全面的應(yīng)用 范圍和特性，這是市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品所不具備的。

表1 2600B軟件工具

當(dāng)您需要對(duì)封裝器件數(shù)據(jù)進(jìn)行快速采集時(shí)，通過 ACS Basic版本軟件基于相當(dāng)?shù)挠脩艚缑妫苋菀?發(fā)現(xiàn)和運(yùn)行期望的測(cè)試，就像常見的 FET曲線跟 蹤測(cè)試一樣。

ACS Basic版本軟件具有靈活的軟件體系結(jié)構(gòu)，允許為 系統(tǒng)配置多種控制器與測(cè)試夾具，并可以根據(jù)應(yīng)用需要， 配置所需的數(shù)字源表數(shù)量。

典型應(yīng)用

各種器件的I-V功能測(cè)試和特征分析，包括：

• 分立和無源元件
  – 兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動(dòng)器頭、金屬 氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極 管、電容、熱敏電阻
  – 三抽頭器件——小信號(hào)雙極結(jié)型晶體管（BJT）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），等等
• 簡(jiǎn)單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)、傳感 器、轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器
• 集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI） – 模擬IC
  – 射頻集成電路（RFIC）
  – 集成電路（ASIC）
  – 片上系統(tǒng)（SOC）器件
• 光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器 （VCSEL）、顯示器
• 圓片級(jí)可靠性
  – NBTI、TDDB、HCI、電遷移
• 太陽能電池
• 電池
• 更多…

2604B/2614B型儀表的背板
(單通道2601B, 2611B, 2635B沒有給出)。

2636B型儀表的背板

在第yi和第三象限，2600B系列儀器用作信號(hào)源，向負(fù)載提供 電源。在第二和第四象限，2600B系列儀器用作信號(hào)宿，內(nèi)部 消耗功率。

2601B、2602B和2604B的I-V測(cè)試功能

2611B、2612B和2614B的I-V 測(cè)試功能

2634B、2635B和2636B的I-V 測(cè)試功能

泰克2604B數(shù)字源表

 技術(shù)指標(biāo)適用的條件

本文介紹了2601B、2602B和2604B系統(tǒng)數(shù)字源表的技術(shù)指標(biāo)和補(bǔ)充說明。這些技術(shù) 指標(biāo)是測(cè)試2601B、2602B和2604B依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)。在出廠時(shí)，2601B、2602B和2604B 符合這些技術(shù)指標(biāo)。補(bǔ)充說明和典型值不在質(zhì)保范圍內(nèi)，適用于23°C，僅用作有 效信息。

精確技術(shù)指標(biāo)適用于普通模式和高電容模式。

這些源和測(cè)量精度在下列條件下適用于數(shù)字源表CHANNEL A（2601B、2602B和2604B）或數(shù)字源表CHANNEL B（2602B和2604B）終端。
1. 23°C ±5°C，相對(duì)濕度<70%
2. 經(jīng)過2小時(shí)的預(yù)熱
3. 普通速度（1 NPLC）
4. 啟用A/D自動(dòng)調(diào)零
5. 遠(yuǎn)端檢測(cè)操作或適當(dāng)?shù)臍w零局部操作
6. 校準(zhǔn)周期=1年

源技術(shù)指標(biāo)

電壓源技術(shù)指標(biāo)

電壓編程精度¹

溫度系數(shù) (0°–18°C & 28°–50°C)2：±(0.15 × 精度指標(biāo))/°C。
僅適用于普通模式，不適用于高電容模式。
大輸出功率和源/宿極限³：每通道大40.4W。±40.4V@ ±1.0A，±6.06V@ ±3.0A，四項(xiàng)限源或宿操作。
電壓調(diào)節(jié)：線：量程的 0.01%。負(fù)載：±(量程的0.01% + 100μV)。
噪聲：10Hz～20MHz：<20mV 峰-峰值（典型值），<3mV RMS（典型值），6V量程。
電流極限/柔度⁴: 單值設(shè)置雙極電流極限（柔度）。小值10nA。精度與電流源 相同。
過沖：典型值<±(0.1% + 10mV)。步進(jìn)值=量程的10%～90%，電阻負(fù)載，大電流 極限/柔度。
保護(hù)偏移電壓：典型值 < 4mV。電流 < 10mA。

電流源技術(shù)指標(biāo)

電流編程精度

溫度系數(shù) (0°–18°C & 28°–50°C)7：±(0.15 × 精度指標(biāo))/°C。
大輸出功率和源/宿極限⁸：每通道大40.4W。±1.01A @ ±40.0V，±3.03A @ ±6.0V，四項(xiàng)限源或宿操作。
電流調(diào)節(jié)：線：量程的0.01%。負(fù)載：±(量程的0.01% + 100 pA)。
電壓極限/柔度⁹: 單值設(shè)置雙極電壓極限（柔度）。小值10 mV。精度與電壓源 相同。
過沖：典型值<±0.1%（步進(jìn)值=量程的10%～90%，電阻負(fù)載；其他測(cè)試條件，參見 “電流源輸出穩(wěn)定時(shí)間”部分）。

其它電源技術(shù)指標(biāo)

瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間：當(dāng)負(fù)載出現(xiàn)10%到90%的階躍變化時(shí)輸出恢復(fù)到0.1%的時(shí)間 <70μs。
電壓源輸出穩(wěn)定時(shí)間：在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達(dá)到終值0.1%所需的 時(shí)間。
100mV，1V量程：典型值<50μs
6V量程：典型值<100μs
40V量程10：典型值<150μs
電流源輸出穩(wěn)定時(shí)間：在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達(dá)到終值0.1%所需的 時(shí)間。下列值適用于I_out × R_load = 1V，除非另行說明。
3A量程：典型值<80μs（電流小于2.5A，R_load >2Ω） 1A–10mA量程：典型值<80μs（R_load >6Ω）
1mA量程：典型值<100μs
100μA量程：典型值<150μs
10μA量程：典型值<500μs
1μA量程：典型值<2.5ms
100nA量程：典型值<25ms
直流浮動(dòng)電壓：輸出電壓可以從機(jī)架地電平zui高上浮到±250VDC。
遠(yuǎn)端檢測(cè)工作范圍¹¹:
HI和SENSE HI之間的大電壓=3V
LO和SENSE LO之間的大電壓=3V

電壓輸出凈空：
40V量程：大輸出電壓=42V – 電源引線上的總壓降 （每條電源引線大1Ω）
6V量程：大輸出電壓=8V – 電源引線上的總壓降 （每條電源引線大1Ω）
過溫保護(hù)：內(nèi)部檢測(cè)溫度過載時(shí)將設(shè)備置為待機(jī)模式。
電壓源量程變化過沖：<300mV + 較大量程的0.1%（典型值）。過沖輸入一個(gè) 100kΩ負(fù)載，20MHz帶寬。
電流源量程變化過沖：<較大量程的5% + 300mV/Rload （典型值，源穩(wěn)定時(shí)間 設(shè)置為SETTLE_SMOOTH_100NA）。其他測(cè)試條件，參見“電流源輸出穩(wěn)定時(shí)間” 部分。

注

1. 對(duì)于源精度指標(biāo)的HI引線壓降每伏要增加50μV。
2. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
3. 在30°C環(huán)境下，無論負(fù)載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下，可 參考2600B系列參考手冊(cè)的“工作界限（Operating Boundaries）”部分，查詢其它功率下 降信息。
4. 對(duì)于電源宿工作模式（第II和第IV象限），要在相應(yīng)的電流極限精度指標(biāo)上增加極*程的 0.06%。技術(shù)指標(biāo)適用于支持的電源宿工作模式。
5. 在30°C環(huán)境下，無論負(fù)載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下，可 參考2600B系列參考手冊(cè)的“工作界限（Operating Boundaries）”部分，查詢其它功率下 降信息。
6. 10A量程僅適用于脈沖模式。
7. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
8. 在30°C環(huán)境下,無論負(fù)載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下，可 參考2600B系列參考手冊(cè)的“工作界限（Operating Boundaries）”部分，查詢其它功率下 降信息。
9. 對(duì)于電源宿工作模式（第II和第IV象限），要在相應(yīng)的電壓源指標(biāo)上增加柔度量程的10%和 極限設(shè)定值的±0.02%。對(duì)于100mV量程，要額外增加60mV的不確定值。
10. 當(dāng)在1A量程下測(cè)量時(shí)，要增加150μs。
11. 對(duì)于源精度指標(biāo)的HI引線壓降每伏要增加50μV。

脈沖技術(shù)指標(biāo)

小可編程脈寬¹⁴,¹⁵：100μs。注：對(duì)于穩(wěn)定電源在特定I/V輸出端和負(fù)載上的 小脈寬可以大于100μs。
脈寬編 程分辨 率：1μs。
脈寬編 程精度 15：±5μs。
脈寬抖 動(dòng)：2μs（典型值）。
象限圖：

注

12. 從脈沖開始到off-time開始的時(shí)間；如下圖所示。

13.在電源宿模式下（第II和IV象限）且環(huán)境溫度高于30°C時(shí)，發(fā)熱受限。欲了解更多信息， 可參見參考手冊(cè)中的功率方程。
14.小穩(wěn)定脈寬的典型性能：

通常采用遠(yuǎn)端操作、4線檢測(cè)和*、固定量程進(jìn)行測(cè)試。有關(guān)脈沖腳本的更多介紹, 請(qǐng)參見2600B參考手冊(cè)。

15.從脈沖開始到off-time開始的時(shí)間；如下圖所示。

儀表技術(shù)指標(biāo)

電壓測(cè)量精度^16,17

溫度系數(shù)（0°–18°C & 28°–50°C）19：±(0.15×精度指標(biāo))/°C。僅適用于 普通模式，不適用于高電容模式。

電流測(cè)量精度 ¹⁷

電流測(cè)量穩(wěn)定時(shí)間（在V 之后測(cè)量穩(wěn)定的時(shí)間）²³: 在固定量程上處理電源設(shè) step 命令后達(dá)到終值0.1%所需的時(shí)間。V_out=1V，除非另行說明。電流量程：1mA。 out 時(shí)間：<100μs（典型值）。
溫度系數(shù)（0°–18°C & 28°–50°C）²⁴: ±(0.15×精度指標(biāo))/°C。僅適用普通模式，不適用于高電容模式。

接觸檢查²⁵（不適合2604B）

其它儀表技術(shù)指標(biāo)

大負(fù)載阻抗：
普通模式：10nF（典型值）。
高電容模式：50μF（典型值）
共模電壓：250VDC。
共模隔離度：>1GΩ，<4500pF
過量程：101%的電源量程，102%的測(cè)量量程
大檢測(cè)引線電阻：額定精度為1kΩ。
檢測(cè)輸入阻抗：>10GΩ

注

16. 對(duì)于源精度指標(biāo)的HI引線壓降每伏要增加50μV。
17 .對(duì)于NPLC設(shè)置<1，要通過增加誤差項(xiàng)降低精度指標(biāo)。根據(jù)下表適當(dāng) 增加量程值的百分比。

18. 適用于單通道顯示模式。
19. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
20. 適用于單通道顯示模式。
21. 四線遠(yuǎn)端檢測(cè)僅適用于所選的電流表模式。電壓測(cè)量只能設(shè)置為100mV或1V量程。
22. 10A量程僅適用于脈沖模式。
23. 柔度等于100mA。
24. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
25. 包括測(cè)量SENSE HI到HI和SENSE LO到LO的接觸電阻。

高電容模式^26,27,28

電壓源輸出穩(wěn)定時(shí)間：在固定量程上處理完源極命令后，達(dá)到終值的0.1% 所需的時(shí)間。電流極限=1A。

電壓源量程

C_load =4.7μF的穩(wěn)定時(shí)間

100 mV

200 μs （典型值）

1 V

200 μs （典型值）

6 V

200 μs （典型值）

40 V

7 ms （典型值）

電流測(cè)量穩(wěn)定時(shí)間：在電壓源穩(wěn)定在固定量程上后，達(dá)到終值的0.1%所需 的時(shí)間。下列值適用于V_{out=1V，除非另行說明。}

電壓源量程

穩(wěn)定時(shí)間

3 A – 1 A

<120 μs（典型值） (R_load > 2Ω)

100 mA – 10 mA

<100 μs （典型值）

1 mA

< 3 ms （典型值）

100 μA

< 3 ms （典型值）

10 μA

< 230 ms （典型值）

1 μA

< 230 ms （典型值）

使用HIGH-C腳本的電容漏流性能29: 負(fù)載=5μF||10MΩ
測(cè)試：5V步進(jìn)與測(cè)量。200ms（典型值）@50nA。

模式改變延遲：

100μA電流量程以上：
進(jìn)入高電容模式的延遲：10ms
離開高電容模式的延遲：10ms
1μA和10μA電流量程：
進(jìn)入高電容模式的延遲：230ms
離開高電容模式的延遲：10ms
電壓表輸入阻抗：100GΩ并聯(lián)3300pF。
噪聲，10Hz-20MHz（6V量程）：典型值<30mV 峰-峰值。
電壓源量程改變過沖：典型值<400mV + 較大量程的0.1%。過沖進(jìn)入200kΩ負(fù)載，20MHz帶寬。

注

26. 高電容模式指標(biāo)僅適用于直流測(cè)量。
27. 100nA量程不適用于高電容模式。
28. 高電容模式利用鎖定的量程。禁用自動(dòng)量程功能。
29. 部分KI廠商腳本。詳細(xì)信息參考手冊(cè)。

公共指標(biāo)

IEEE-488：兼容IEEE-488.1。支持IEEE-488.2公共命令和狀態(tài)模型拓?fù)洹?br />USB控制(背面): USB 2.0器件，TMC488協(xié)議。
RS-232：波特率從300bps到115200bps。
以太網(wǎng)：RJ-45接頭，LXI Class C，10/100BT，無自動(dòng)翻轉(zhuǎn)功能。
擴(kuò)展接口：利用TSP-Link擴(kuò)展接口可實(shí)現(xiàn)支持TSP功能的儀器相互觸發(fā)和通信。 (不適用2604B)
線纜類型：5e類線或更的LAN交叉線。
長度：任意兩臺(tái)支持TSP功能的儀器之間長3米。
LXI兼容性：LXI Class C 1.2
LXI時(shí)序：總輸出觸發(fā)響應(yīng)時(shí)間：小值為245μs ，典型值為280μs ，（不 大值）。接收LAN[0-7]事件延遲：未知。產(chǎn)生LAN[0-7]事件延遲： 未知。
數(shù)字I/O接口(不適用2604B)

接頭：25針D型母接頭
輸入/輸出引腳：14個(gè)開漏極I/O腳
大輸入電壓：5.25V
小輸入電壓：-0.25V
大邏輯低輸入電壓：0.7V，大+850μA
小邏輯高輸入電壓：2.1V，+570μA。
大源電流（流出數(shù)字I/O腳）：+960μA。
大宿電流@大邏輯低電壓（0.7V）：-5.0mA。
大宿電流（流入數(shù)字I/O腳）：-11mA(不適用2604B)。
5V電源引腳：上限為600mA，固態(tài)熔絲保護(hù)。
安全互鎖引腳：有效高輸入。必須從外部加載>3.4V@24mA（大值6V） 到該引腳上，以確保200V操作。該信號(hào)通過一個(gè)10kΩ電阻下拉到機(jī)殼 地。當(dāng)INTERLOCK信號(hào)<0.4V時(shí)（小值-0.4V），200V操作將會(huì)被 阻塞。如下圖所示：

USB文件系統(tǒng)（前部）：USB 2.0主控制器：海量存儲(chǔ)類設(shè)備。
電源：100V～250VAC，50～60Hz（自動(dòng)檢測(cè)），大240 VA。
冷卻：強(qiáng)制風(fēng)冷。側(cè)面進(jìn)風(fēng)，背板排風(fēng)。在以機(jī)架式安裝時(shí)， 一側(cè)不可阻塞。
EMC：符合歐盟指令2004/108/EEC、EN 61326-1。
安全性：符合歐盟指令73/23/EEC、EN 61010-1和UL 61010-1。
尺寸：89mm 高 × 213mm 寬 × 460mm 深 （3½ in × 8? in × 17 ½ in ）。
臺(tái)面配置（帶手柄和腳）：104mm 高 × 238mm 寬 × 460mm 深 （4? in× 9? in × 17 ½ in ）。
重量：2601B：4.75kg （10.4 lbs），2602B，2604B：5.50kg （12.0 lbs）。
工作環(huán)境：僅限于室內(nèi)使用。
海拔：高于海平面大2000米。
工作：0°–50°C，70% R.H.zui高35°C。降低3% R.H./°C，35°–50°C。
存儲(chǔ)：–25°C 到 65°C。

技術(shù)指標(biāo)適用的條件

本文介紹了2611B，2612B和2614B系統(tǒng)數(shù)字源表的技術(shù)指標(biāo)和補(bǔ)充說明。這些 技術(shù)指標(biāo)是測(cè)試2611B，2612B和2614B依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)。在出廠時(shí)，2611B，2612B和 2614B符合這些技術(shù)指標(biāo)。補(bǔ)充說明和典型值不在質(zhì)保范圍內(nèi)，適用于23°C，僅用 作有效信息。

精確技術(shù)指標(biāo)適用于普通模式和高電容模式。這些源和測(cè)量精度在下列條件下適用于數(shù)字源表CHANNEL A（2611B，2612B和 2614B）或數(shù)字源表CHANNEL B（2612B和2614B）終端：
1. 23°C ±5°C，相對(duì)濕度<70%
2. 經(jīng)過2小時(shí)的預(yù)熱
3. 普通速度（1 NPLC）
4. 啟用A/D自動(dòng)調(diào)零
5. 遠(yuǎn)端檢測(cè)操作或適當(dāng)?shù)臍w零局部操作
6. 校準(zhǔn)周期=1年

源技術(shù)指標(biāo)

電壓源技術(shù)指標(biāo)

電壓編程精度¹

溫度系數(shù) (0°–18°C & 28°–50°C)2：±(0.15 × 精度指標(biāo))/°C。僅適用于 普通模式，不適用于高電容模式。
大輸出功率和源/宿極限3：每通道大30.3W。±20.2V@ ±1.5A，±202V@± 100 mA，四項(xiàng)限源或宿操作。
電壓調(diào)節(jié)：線：量程的 0.01%。負(fù)載：±(量程的0.01% + 100μV)。
噪聲 10Hz～20MHz：典型值<20mV（峰-峰值），典型值<3mV RMS（有效值）， 20V量程。
電流極限/柔度4: 單值設(shè)置雙極電流極限（柔度）。小值10nA。精度與電流源 相同。
過沖：典型值<±(0.1% + 10mV)。步進(jìn)值=量程的10%～90%，電阻負(fù)載，大電流 極限 /柔度。
保護(hù)偏移電壓：典型值 < 4mV。（電流 < 10mA）。

電流源技術(shù)指標(biāo)

電流編程精度⁵

溫度系數(shù) (0°–18°C & 28°–50°C)8：±(0.15 × 精度指標(biāo))/°C。僅適用于 普通模式，不適用于高電容模式。
大輸出功率和源/宿極限9：每通道大30.3W。±1.515A @ ±20V , ±101mA @ ±200V，四項(xiàng)限源或宿操作。
電流調(diào)節(jié)：線：量程的0.01%。負(fù)載：±(量程的0.01% + 100 pA)。
電壓極限/柔度10: 單值設(shè)置雙極電壓極限（柔度）。小值20 mV。精度與電壓源 相同。
過沖：典型值<±0.1%（步進(jìn)值=量程的10%～90%，電阻負(fù)載；其他測(cè)試條件，參見 “電流源輸出穩(wěn)定時(shí)間”部分）。

其它電源技術(shù)指標(biāo)

瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間：當(dāng)負(fù)載出現(xiàn)10%到90%的階躍變化時(shí)輸出恢復(fù)到0.1%的時(shí)間<70μs。 電壓源輸出穩(wěn)定時(shí)間：在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達(dá)到終值0.1%所需的時(shí)間。

量程

穩(wěn)定時(shí)間

200 mV

<50 μs (典型值)

2 V

<50 μs (典型值)

20 V

<110 μs (典型值)

200 V

<700 μs (典型值)

電流源輸出穩(wěn)定時(shí)間：在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達(dá)到終值0.1%所需的時(shí)間。 下列值適用于I_out × R_load = 2V，除非另行說明。

電流量程

穩(wěn)定時(shí)間

1.5 A – 1 A

<120 μs (典型值) (R_load > 6)

100 mA – 10 mA

<80 μs (典型值)

1 mA

<100 μs (典型值)

100 μA

<150 μs (典型值)

10 μA

<500 μs (典型值)

1 μA

<2 ms (典型值)

100 μA

<20 ms (典型值)

直流浮動(dòng)電壓：輸出電壓可以從機(jī)架地電平zui高上浮到±250VDC。
遠(yuǎn)端檢測(cè)工作范圍^{11：
HI和SENSE HI之間的大電壓=3V
LO和SENSE LO之間的大電壓=3V}

電壓輸出凈空：
200V量程：大輸出電壓= 202.3V – 電源引線上的總壓降（每條電源引線大 1Ω）
20V量程：大輸出電壓= 23.3V – 電源引線上的總壓降（每條電源引線大 1Ω）
超溫保護(hù)：內(nèi)部檢測(cè)溫度過載時(shí)將設(shè)備置為待機(jī)模式。
電壓源量程變化過沖：<300mV + 較大量程的0.1%（典型值）。過沖輸入一個(gè)200kΩ 負(fù)載，20MHz帶寬。
電流源量程變化過沖：<較大量程的5% + 300mV/Rload（典型值，源穩(wěn)定時(shí)間設(shè)置為 SETTLE_SMOOTH_100NA）。其他測(cè)試條件，參見“電流源輸出穩(wěn)定時(shí)間”部分。

注

1. 對(duì)于源精度指標(biāo)的HI引線壓降每伏要增加50μV。
2. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
3.在30°C環(huán)境下，無論負(fù)載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下，可參考 2600B系列參考手冊(cè)的“工作界限（Operating Boundaries）”部分，查詢其它功率下降信息。
4.對(duì)于電源宿工作模式（第II和第IV象限），要在相應(yīng)的電流極限精度指標(biāo)上增加極*程的0.06%。 技術(shù)指標(biāo)適用于支持的電源宿工作模式。
5.精度指標(biāo)不包括集電極漏流。在18°–28°C之間工作時(shí)，每°C精度降低Vout/2E11；在<18°C或 >28°C工作時(shí)，每°C精度降低Vout/2E11 + (0.15?Vout/2E11)。
6.在30°C環(huán)境下,無論負(fù)載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下，可參考 2600B系列參考手冊(cè)的“工作界限（Operating Boundaries）”部分，查詢其它功率下降信息。
7.10A量程僅適用于脈沖模式。
8. 高電容模式精度僅適用于23°C ±5°C。
9.在30°C環(huán)境下,無論負(fù)載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下，可參考 2600B系列參考手冊(cè)的“工作界限（Operating Boundaries）”部分，查詢其它功率下降信息。
10.對(duì)于電源宿工作模式（第II和第IV象限），要在相應(yīng)的電壓源指標(biāo)上增加柔度量程的10%和極限 設(shè)定值的±0.02%。對(duì)于200mV量程，要額外增加120mV的不確定值。
11.對(duì)于源精度指標(biāo)的HI引線壓降每伏要增加50μV。

脈沖技術(shù)指標(biāo)

小可編程脈寬^15,16：100μs。注：對(duì)于穩(wěn)定電源在特定I/V輸出端和負(fù)載上的小 脈寬可以大于100μs。
脈寬編 程分辨 率：1μs。
脈寬編 程精度 15：±5μs。
脈寬抖動(dòng)：2μs（典型值）。

13.在電源宿模式下（第II和IV象限）且環(huán)境溫度高于30°C時(shí)，發(fā)熱受限。欲了解更多信息， 可參見參考手冊(cè)中的功率方程。
14. 電壓源工作在1.5 A電流極限下。
15. 小穩(wěn)定脈寬的典型性能：

通常采用遠(yuǎn)端操作、4線檢測(cè)和*、固定量程進(jìn)行測(cè)試。有關(guān)脈沖腳本的更多介紹， 請(qǐng)參見2600B參考手冊(cè)。

儀表技術(shù)指標(biāo)

電壓測(cè)量精度 ^{17, 18}

溫度系數(shù)（0°–18°C & 28°–50°C）20：±(0.15×精度指標(biāo))/°C。僅適用于 普通模式，不適用于高電容模式。

電流測(cè)量精度 ^{18, 21}

電流測(cè)量穩(wěn)定時(shí)間（在Vstep之后測(cè)量穩(wěn)定的時(shí)間）25: 在固定量程上處理電源設(shè)置 命令后達(dá)到終值0.1%所需的時(shí)間。V_out= 2V，除非另行說明。電流量程：1mA。
穩(wěn)定時(shí)間：<100μs（典型值）。
溫度系數(shù)（0°–18°C & 28°–50°C）26: ±(0.15×精度指標(biāo))/°C。僅適用于 普通模式，不適用于高電容模式。

接觸檢查²⁷ （不適合2614B）

其它儀表技術(shù)指標(biāo)

大負(fù)載阻抗：
普通模式：10nF（典型值）。高電容模式：50μF（典型值）
共模電壓：250VDC。
共模隔離度：>1GΩ，<4500pF
過量程：101%的電源量程，102%的測(cè)量量程
大檢測(cè)引線電阻：額定精度為1kΩ。
檢測(cè)輸入阻抗：>10GΩ

注

17. 對(duì)于源精度指標(biāo)的HI引線壓降每伏要增加50μV。
18. 對(duì)于NPLC設(shè)置<1，要通過增加誤差項(xiàng)來降低精度指標(biāo)。根據(jù)下表適當(dāng)增加量程值的百分比。

19. 適用于單通道顯示模式。
20. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
21.精度指標(biāo)不包括集電極漏流。在18°–28°C之間工作時(shí)，每°C精度降低Vout/2E11；在<18°C 或>28°C工作時(shí)，每°C精度降低Vout/2E11 + (0.15·Vout/2E11)。
22. 適用于單通道顯示模式。
23. 四線遠(yuǎn)端檢測(cè)僅適用于所選的電流表模式。電壓測(cè)量只能設(shè)置為200mV或2V量程。
24. 10A量程僅適用于脈沖模式。
25. 柔度等于100mA。
26. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
27. 包括測(cè)量SENSE HI到HI和SENSE LO到LO接觸電阻

高電容模式 ^{28, 29, 30}

電壓源輸出穩(wěn)定時(shí)間：在固定量程上處理完源極命令后，達(dá)到終值的0.1%所需的 時(shí)間。電流極限=1A。

電壓源量

C_load =4.7μF的穩(wěn)定時(shí)間

200 mV

600 μs （典型值）

2 V

600 μs （典型值）

20 V

1.5 ms （典型值）

200 V

200 ms （典型值）

電流測(cè)量穩(wěn)定時(shí)間：在電壓源穩(wěn)定在固定量程上后，達(dá)到終值的0.1%所需的時(shí)間。 下列值適用于Vout=2V，除非另行說明。

電流量程

穩(wěn)定時(shí)間

1.5 A – 1 A

<120 μs (典型值) (R_load > 6Ω)

100 mA – 10 mA

<100 μs （典型值）

1 mA

< 3 ms （典型值）

100 μA

< 3 ms （典型值）

10 μA

< 230 ms （典型值）

1 μA

< 230 ms （典型值）

使用HIGH-C腳本的電容漏流性能32: 負(fù)載=5μF||10MΩ
測(cè)試：5V步進(jìn)與測(cè)量。200ms（典型值）@50nA。
模式改變延遲：
100μA電流量程以上：
進(jìn)入高電容模式的延遲：10ms
離開高電容模式的延遲：10ms
1μA和10μA電流量程：
進(jìn)入高電容模式的延遲：230ms
離開高電容模式的延遲：10ms
電壓表輸入阻抗：30GΩ并聯(lián)3300pF。
噪聲，10Hz-20MHz（20V量程）：典型值<30mV 峰-峰值。
電壓源量程改變過沖（用于20V量程以下）：典型值<400mV + 較大量程的0.1%。
過沖進(jìn)入200kΩ負(fù)載，20MHz帶寬。

注

28. 高電容模式指標(biāo)僅適用于直流測(cè)量。
29. 100nA以下量程不適用于高電容模式。
30. 高電容模式利用鎖定的量程。禁用自動(dòng)量程功能。
31. 部分KI廠商腳本。詳細(xì)信息參考手冊(cè)。

公共指標(biāo)

IEEE-488：兼容IEEE-488.1。支持IEEE-488.2公共命令和狀態(tài)模型拓?fù)洹?br />USB控制 (背面): USB 2.0器件，TMC488協(xié)議。
RS-232：波特率從300bps到115200bps。數(shù)據(jù)位數(shù)、奇偶類型和流程控制 （RTS/CTS硬件或沒有）可編程。
以太網(wǎng)：RJ-45接頭，LXI Class C，10/100BT，無自動(dòng)翻轉(zhuǎn)功能。
擴(kuò)展接口：利用TSP-Link擴(kuò)展接口可實(shí)現(xiàn)支持TSP功能的儀器相互觸發(fā)和 通信。(不適用2634B)
線纜類型：5e類線或更的LAN交叉線。
長度：任意兩臺(tái)支持TSP功能的儀器之間長3米。
LXI兼容性：LXI Class C 1.4
LXI時(shí)序：總輸出觸發(fā)響應(yīng)時(shí)間：小值為245μs ，典型值為280μs ， （不大值）。接收LAN[0-7]事件延遲：未知。產(chǎn)生LAN[0-7]
事件延遲：未知。
數(shù)字I/O接口(不適用2634B)

接頭：25針D型母接頭
輸入/輸出引腳：14個(gè)開漏極I/O腳
大輸入電壓：5.25V
小輸入電壓：-0.25V
大邏輯低輸入電壓：0.7V，大+850μA
小邏輯高輸入電壓：2.1V，+570μA。
大源電流（流出數(shù)字I/O腳）：+960μA。
大宿電流@大邏輯低電壓（0.7V）：-5.0mA。
大宿電流（流入數(shù)字I/O腳）：-11mA。
5V電源引腳：上限為600mA，固態(tài)熔絲保護(hù)。
安全互鎖引腳：有效高輸入。必須從外部加載>3.4V@24mA（大值6V）到該引腳上，以確保200V操作。該信號(hào)通過一個(gè)10kΩ電阻下拉到機(jī)殼地。當(dāng)INTERLOCK信號(hào)<0.4V時(shí)（小值-0.4V），200V操作將會(huì)被阻塞。如下圖所示：

USB文件系統(tǒng)（前部）：USB 2.0主控制器：海量存儲(chǔ)類設(shè)備。
電源：100V～250VAC，50～60Hz（自動(dòng)檢測(cè)），大240 VA。
冷卻：強(qiáng)制風(fēng)冷。側(cè)面進(jìn)風(fēng)，背板排風(fēng)。在以機(jī)架式安裝時(shí)，一側(cè)不可阻塞。
EMC：符合歐盟指令2004/108/EEC、EN 61326-1。
安全性：符合歐盟指令73/23/EEC、EN 61010-1和UL 61010-1。
尺寸：89mm 高 × 213mm 寬 × 460mm 深 （3½ in × 8? in × 17½ in ）。
臺(tái)面配置（帶手柄和腳）：104mm 高 × 238mm 寬 × 460mm 深 （4? in× 9? in × 17½ in ）。
重量：2635B：4.75kg （10.4 lbs），2634B，2635B：5.50kg （12.0 lbs）。
工作環(huán)境：僅限于室內(nèi)使用。海拔：高于海平面大2000米。
工作：0°- 50°C，70% R.H.zui高35°C。降低3% R.H./°C，35°– 50°C。
存儲(chǔ)：–25°C 到 65°C。

技術(shù)指標(biāo)適用的條件

本文介紹了2634B，2635B和2636B系統(tǒng)數(shù)字源表的技術(shù)指標(biāo)和補(bǔ)充說明。這些 技術(shù)指標(biāo)是測(cè)試2634B，2635B和2636B依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)。在出廠時(shí)，2634B，2635B和2636B 符合這些技術(shù)指標(biāo)。補(bǔ)充說明和典型值不在質(zhì)保范圍內(nèi)，適用于23°C，僅用作有效 信息。

精確技術(shù)指標(biāo)適用于普通模式和高電容模式。這些源和測(cè)量精度在下列條件下適用于數(shù)字源表CHANNEL A（2634B，2635B和 2636B）或數(shù)字源表CHANNEL B（2635B和2636B）終端：
1. 23°C ±5°C，相對(duì)濕度<70%
2. 經(jīng)過2小時(shí)的預(yù)熱
3. 普通速度（1 NPLC）
4. 啟用A/D自動(dòng)調(diào)零
5. 遠(yuǎn)端檢測(cè)操作或適當(dāng)?shù)臍w零局部操作
6. 校準(zhǔn)周期=1年

源技術(shù)指標(biāo)

電壓源技術(shù)指標(biāo)

電壓編程精度¹>

溫度系數(shù) (0°–18°C & 28°–50°C)2：±(0.15 × 精度指標(biāo))/°C。僅適用于普通模式，不適用于高電容模式。
大輸出功率和源/宿極限3：每通道大30.3W。±20.2V@ ±1.5A，±202V@±100 mA，四項(xiàng)限源或宿操作。
電壓調(diào)節(jié)：線：量程的 0.01%。負(fù)載：±(量程的0.01% + 100μV)。
噪聲 10Hz～20MHz：典型值<20mV（峰-峰值），典型值<3mV RMS（有效值），20V量程。
電流極限/柔度4: 單值設(shè)置雙極電流極限（柔度）。小值100pA。精度與電流源相同。
過沖：典型值<±(0.1% + 10mV)。步進(jìn)值=量程的10%～90%，電阻負(fù)載，大電流極限/柔度。
保護(hù)偏移電壓：典型值 < 4mV。（電流 < 10mA）。

電流源技術(shù)指標(biāo)

電流編程精度

溫度系數(shù) (0°–18°C & 28°–50°C)7：±(0.15 × 精度指標(biāo))/°C。僅適用于普通模式，不適用于高電容模式。
大輸出功率和源/宿極限8：每通道大30.3W。±1.515A @ ±20V , ±101mA @±200V，四項(xiàng)限源或宿操作。
電流調(diào)節(jié)：線：量程的0.01%。負(fù)載：±(量程的0.01% + 100 pA)。
電壓極限/柔度9: 單值設(shè)置雙極電壓極限（柔度）。小值20 mV。精度與電壓源相同。
過沖：典型值<±0.1%（步進(jìn)值=量程的10%～90%，電阻負(fù)載；大電流極限/柔度。其他測(cè)試條件，參見“電流源輸出穩(wěn)定時(shí)間”部分）。

其它電源技術(shù)指標(biāo)

瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間：當(dāng)負(fù)載出現(xiàn)10%到90%的階躍變化時(shí)輸出恢復(fù)到0.1%的時(shí)間<70μs。
電壓源輸出穩(wěn)定時(shí)間：在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達(dá)到終值0.1%所需的時(shí)間。

量程

穩(wěn)定時(shí)間

200 m V

<50 μs (典型值)

2 V

<50 μs (典型值)

20 V

<110 μs (典型值)

200 V

<700 μs (典型值)

電流源輸出穩(wěn)定時(shí)間：在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達(dá)到終值0.1%所需的時(shí)間。下列值適用于I_out× R_load = 2V，除非另行說明。

電壓源量程

穩(wěn)定時(shí)間

1.5 A – 1 A

<120 μs（典型值） (R_load > 2Ω)

100 mA – 10 mA

<80 μs (典型值)

1 mA

<100 μs (典型值)

100 μA

<150 μs (典型值)

10 μA

<500 μs (典型值)

1 μA

<2 ms (典型值)

100 μA

<20 ms (典型值)

10 μA

<40 ms (典型值)

1 μA

<150 ms (典型值)

直流浮動(dòng)電壓：輸出電壓可以從機(jī)架地電平zui高上浮到±250VDC。
遠(yuǎn)端檢測(cè)工作范圍¹⁰:
HI和SENSE HI之間的大電壓=3V
LO和SENSE LO之間的大電壓=3V

電壓輸出凈空：
200V量程：大輸出電壓= 202.3V – 電源引線上的總壓降（每條電源引線大1Ω）
20V量程：大輸出電壓= 23.3V – 電源引線上的總壓降（每條電源引線大1Ω）
超溫保護(hù)：內(nèi)部檢測(cè)溫度過載時(shí)將設(shè)備置為待機(jī)模式。
電壓源量程變化過沖：<300mV + 較大量程的0.1%（典型值）。過沖輸入一個(gè)200kΩ負(fù)載，20MHz帶寬。
電流源量程變化過沖：<較大量程的5% + 300mV/Rload（典型值，源穩(wěn)定時(shí)間設(shè)置為SETTLE_SMOOTH_100NA）。其他測(cè)試條件，參見“電流源輸出穩(wěn)定時(shí)間”部分。

脈沖技術(shù)指標(biāo)

小可編程脈寬14,15：100μs。注：對(duì)于穩(wěn)定電源在特定I/V輸出端和負(fù)載上的小脈寬可以大于100μs。
脈寬編程分辨率：1μs。
脈寬編程精度15：±5μs。
脈寬抖動(dòng)：50μs（典型值）。

注

1. 對(duì)于源精度指標(biāo)的HI引線壓降每伏要增加50μV。
2. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
3. 在30°C環(huán)境下，無論負(fù)載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下，可參考2600B系列參考手冊(cè)的“工作界限（Operating Boundaries）”部分，查詢其它功率下降信息。
4. 對(duì)于電源宿工作模式（第II和第IV象限），要在相應(yīng)的電流極限精度指標(biāo)上增加極*程的0.06%。技術(shù)指標(biāo)適用于支持的電源宿工作模式。
5. 在30°C環(huán)境下，無論負(fù)載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下，可參考2600B系列參考手冊(cè)的“工作界限（Operating Boundaries）”部分，查詢其它功率下降信息。
6. 10A量程僅適用于脈沖模式。
7. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
8. 在30°C環(huán)境下，無論負(fù)載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下，可參考2600B系列參考手冊(cè)的“工作界限（Operating Boundaries）”部分，查詢其它 功率下降信息。
9. 對(duì)于電源宿工作模式（第II和第IV象限），要在相應(yīng)的電壓源指標(biāo)上增加柔度量程的10%和極限設(shè)定值的±0.02%。對(duì)于200mV量程，要額外增加120mV的不確定值。
10. 對(duì)于源精度指標(biāo)的HI引線壓降每伏要增加50μV。
11. 從脈沖開始到off-time開始的時(shí)間；如下圖所示。

12. 在電源宿模式下（第II和IV象限）且環(huán)境溫度高于30°C時(shí)，發(fā)熱受限。欲了解更多信息， 可參見參考手冊(cè)中的功率方程。
13. 電壓源工作在1.5 A電流極限下。
14. 小穩(wěn)定脈寬的典型性能：

通常采用遠(yuǎn)端操作、4線檢測(cè)和*、固定量程進(jìn)行測(cè)試。有關(guān)脈沖腳本的更多介紹， 請(qǐng)參見2600B參考手冊(cè)。

儀表技術(shù)指標(biāo)

電壓測(cè)量精度 ^{16, 17}

溫度系數(shù)（0°–18°C & 28°–50°C）¹⁹：±(0.15×精度指標(biāo))/°C。僅適用于普通模式，不適用于高電容模式。

電流測(cè)量精度 ¹⁷

* 100 pA量程不適用于2634B型。
電流測(cè)量穩(wěn)定時(shí)間（在Vstep之后測(cè)量穩(wěn)定的時(shí)間）26: 在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達(dá)到終值0.1%所需的時(shí)間。Vout= 2V，除非另行說明。電流量程：1mA。穩(wěn)定時(shí)間：<100μs（典型值）。
溫度系數(shù)（0°–18°C & 28°–50°C）27: ±(0.15×精度指標(biāo))/°C。僅適用于普通模式，不適用于高電容模式。

接觸檢查²⁸ （不適合2634B）

其它儀表技術(shù)指標(biāo)

大負(fù)載阻抗：
普通模式：10nF（典型值）。高電容模式：50μF（典型值）
共模電壓：250VDC。
共模隔離度：>1GΩ，<4500pF
過量程：101%的電源量程，102%的測(cè)量量程
大檢測(cè)引線電阻：額定精度為1kΩ。
檢測(cè)輸入阻抗：>1014Ω

注

16. 對(duì)于源精度指標(biāo)的HI引線壓降每伏要增加50μV。
17. 對(duì)于NPLC設(shè)置<1，要通過增加誤差項(xiàng)來降低精度指標(biāo)。根據(jù)下表適當(dāng)增加量程值的百分比。

18. 適用于單通道顯示模式。
19. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
20. 適用于單通道顯示模式。
21. 四線遠(yuǎn)端檢測(cè)僅適用于所選的電流表模式。電壓測(cè)量只能設(shè)置為200mV或2V量程。
22. 10-NPLC，11點(diǎn)中值濾波器，量程<200V，在調(diào)零后1小時(shí)內(nèi)進(jìn)行測(cè)量，23°C±1°C。
23. 在默認(rèn)的指標(biāo)條件下：±(0.15% + 750fA)。
24. 在默認(rèn)的指標(biāo)條件下：±(0.15% + 1pA)。
25. 10A量程僅適用于脈沖模式。
26. 延遲因數(shù)設(shè)置為1。柔度等于100mA。
27. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
28. 包括測(cè)量SENSE HI到HI和SENSE LO到LO接觸電阻

高電容模式^{29, 30, 31}

電壓源輸出穩(wěn)定時(shí)間：在固定量程上處理完源極命令后，達(dá)到終值的0.1%所需的時(shí)間。電流極限=1A。

電壓源量程

C_load =4.7μF的穩(wěn)定時(shí)間

200 mV

600 μs （典型值）

2 V

600 μs （典型值）

20 V

1.5 ms （典型值）

200 V

20 ms （典型值）

電流測(cè)量穩(wěn)定時(shí)間：在電壓源穩(wěn)定在固定量程上后，達(dá)到終值的0.1%所需的時(shí)間。下列值適用于V_{out=2V，除非另行說明。}

電壓源量程

穩(wěn)定時(shí)間

1.5 A – 1 A

<120 μs（典型值） (R_load > 6Ω)

100 mA – 10 mA

<100 μs（典型值）

1 mA

< 3 ms（典型值）

100 μA

< 3 ms（典型值）

10 μA

< 230 ms （典型值）

1 μA

< 230 ms （典型值）

使用HIGH-C腳本的電容漏流性能32: 負(fù)載=5μF||10MΩ
測(cè)試：5V步進(jìn)與測(cè)量。200ms（典型值）@50nA。
模式改變延遲：
100μA電流量程以上：
進(jìn)入高電容模式的延遲：10ms
離開高電容模式的延遲：10ms
1μA和10μA電流量程：
進(jìn)入高電容模式的延遲：230ms
離開高電容模式的延遲：10ms
電壓表輸入阻抗：30GΩ并聯(lián)3300pF。
噪聲，10Hz-20MHz（20V量程）：典型值<30mV 峰-峰值。
電壓源量程改變過沖（用于20V量程以下）：典型值<400mV + 較大量程的0.1%。
過沖進(jìn)入200kΩ負(fù)載，20MHz帶寬。

注

29. 高電容模式指標(biāo)僅適用于直流測(cè)量。
30. 100nA以下量程不適用于高電容模式。
31. 高電容模式利用鎖定的量程。禁用自動(dòng)量程功能。
32. 部分KI廠商腳本。詳細(xì)信息參考手冊(cè)。

公共指標(biāo)

IEEE-488：兼容IEEE-488.1。支持IEEE-488.2公共命令和狀態(tài)模型拓?fù)洹?br />USB控制 (背面): USB 2.0器件，TMC488協(xié)議。
RS-232：波特率從300bps到115200bps。數(shù)據(jù)位數(shù)、奇偶類型和流程控制（RTS/CTS硬件或沒有）可編程。
以太網(wǎng)：RJ-45接頭，LXI Class C，10/100BT，無自動(dòng)翻轉(zhuǎn)功能。
擴(kuò)展接口：利用TSP-Link擴(kuò)展接口可實(shí)現(xiàn)支持TSP功能的儀器相互觸發(fā)和通信。(不適用2634B)
線纜類型：5e類線或更的LAN交叉線。
長度：任意兩臺(tái)支持TSP功能的儀器之間長3米。
LXI兼容性：LXI Class C 1.4
LXI時(shí)序：總輸出觸發(fā)響應(yīng)時(shí)間：小值為245μs ，典型值為280μs ，（不大值）。接收LAN[0-7]事件延遲：未知。產(chǎn)生LAN[0-7]事件 延遲：未知。
數(shù)字I/O接口：(不適用2634B)

接頭：25針D型母接頭
輸入/輸出引腳：14個(gè)開漏極I/O腳
大輸入電壓：5.25V
小輸入電壓：-0.25V
大邏輯低輸入電壓：0.7V，大+850μA
小邏輯高輸入電壓：2.1V，+570μA。
大源電流（流出數(shù)字I/O腳）：+960μA。
大宿電流@大邏輯低電壓（0.7V）：-5.0mA。
大宿電流（流入數(shù)字I/O腳）：-11mA。
5V電源引腳：上限為600mA，固態(tài)熔絲保護(hù)。
安全互鎖引腳：有效高輸入。必須從外部加載>3.4V@24mA（大值6V）到該引腳上，以確保200V操作。該信號(hào)通過一個(gè)10kΩ電阻下拉到機(jī)殼地。當(dāng)INTERLOCK信號(hào)<0.4V時(shí)（小值-0.4V），200V操作將會(huì)被阻塞。如下圖所示：

USB文件系統(tǒng)（前部）：USB 2.0主控制器：海量存儲(chǔ)類設(shè)備。
電源：100V～250VAC，50～60Hz（自動(dòng)檢測(cè)），大240 VA。
冷卻：強(qiáng)制風(fēng)冷。側(cè)面進(jìn)風(fēng)，背板排風(fēng)。在以機(jī)架式安裝時(shí)，一側(cè)不可阻塞。
EMC：符合歐盟指令2004/108/EEC、EN 61326-1。
安全性：符合歐盟指令73/23/EEC、EN 61010-1和UL 61010-1。
尺寸：89mm 高 × 213mm 寬 × 460mm 深 （3½ in × 8? in× 17½ in ）。臺(tái)面配置（帶手柄和腳）：104mm 高 × 238mm 寬 × 460mm 深 （4? in × 9? in × 17½ in ）。
重量：2635B：4.75kg （10.4 lbs），2634B，2635B：5.50kg （12.0 lbs）。
工作環(huán)境：僅限于室內(nèi)使用。海拔：高于海平面大2000米。
工作：0°–50°C，70% R.H.zui高35°C。降低3% R.H./°C，35°–50°C。
存儲(chǔ)：–25°C 到 65°C。

適用于2601B, 2602B, 2604B, 2611B, 2612B, 2614B, 2634B, 2635B和2636B。

測(cè)量速度指標(biāo) ^{1, 2, 3}

60Hz（50Hz）下大掃描操作速度（每秒操作次數(shù)）:

60Hz（50Hz）下大單測(cè)量速度（每秒操作次數(shù)）:

大量程改變速度：當(dāng)量程>10μA時(shí)，典型值<150μs。當(dāng)改變量程使得量程≥1A或者從≥1A量程變?yōu)槠渌砍虝r(shí)，大速度典型值<450μs。
大源量程改變速度：當(dāng)量程>10μA時(shí)，典型值<2.5ms。當(dāng)改變量程使得量程≥1A或者從≥1A量程變?yōu)槠渌砍虝r(shí)，大速度典型值<5.2ms。
大源函數(shù)改變速度：典型值<1ms。
命令處理時(shí)間：在收到smux .source .levelv 或smux .source .leveli 命令后，輸出開始變化所需的大時(shí)間典型值<1ms。

注

1. 在下列配置下利用2602B、2612B和 2636B對(duì)通道A進(jìn)行測(cè)試：PC硬件（Pentium® 4 2.4GHz、512MB RAM、National InstrumentsPCI-GPIB）。驅(qū)動(dòng)（NI-486.2 Version 2.2 PCI-GPIB）。軟件（Microsoft® Windows® 2000、Microsoft® Visual Studio 2005、VISA version 4.1）。
2. 除了電流量程小于1mA。
3. 2635B/2636B采用默認(rèn)測(cè)量延遲，禁用濾波器

觸發(fā)與同步技術(shù)指標(biāo) ¹

觸發(fā)：
觸發(fā)輸入到觸發(fā)輸出：0.5μs，典型值。
觸發(fā)輸入到源改變2：10μs，典型值。
觸發(fā)定時(shí)精度：±2μs，典型值。
LXI觸發(fā)之后源改變2：280μs，典型值。

同步：
單節(jié)點(diǎn)同步的源改變4：<0.5μs，典型值
多節(jié)點(diǎn)同步的源改變4：<0.5μs，典型值

注

1. TSP-Link不適用于2604B、2614B和 2634B。
2. 固定源改變，沒有極性變化。

適用于2601B, 2602B, 2604B, 2611B, 2612B, 2614B, 2634B, 2635B和2636B。

補(bǔ)充說明

面板界面：雙線真空熒光顯示器（VFD），帶小鍵盤和旋轉(zhuǎn)按鈕。

顯示：

• 顯示出錯(cuò)信息和用戶定義信息
• 顯示源和極限設(shè)置信息
• 顯示電流和電壓測(cè)量
• 查看存儲(chǔ)在讀數(shù)緩沖區(qū)中的測(cè)量數(shù)據(jù)

小鍵盤操作：

• 改變主界面設(shè)置
• 保存和恢復(fù)儀器設(shè)置
• 加載并執(zhí)行廠商和用戶定義的測(cè)試腳本（即測(cè)試序列）， 提示輸入信息，并將結(jié)果發(fā)送到顯示器
• 將測(cè)量數(shù)據(jù)保存到讀數(shù)緩沖區(qū)

編程：可從任意主機(jī)接口訪問嵌入式測(cè)試腳本處理器（TSP）。響應(yīng)各條儀器控制

命令。響應(yīng)由儀器控制命令和測(cè)試腳本語言（TSL）語句（例如分支、循環(huán)、數(shù)學(xué)）組成的高速測(cè)試腳本。無需主機(jī)干預(yù)，能夠執(zhí)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的高速測(cè)試腳本。

小可用存儲(chǔ)容量：16MB（約250000行TSL代碼）。
Test Script Builder：用于構(gòu)建、執(zhí)行和管理TSP腳本的集成開發(fā)環(huán)境。包括一個(gè)儀器控制臺(tái)，能夠通過交互式方式與任意支持TSP功能的儀器通信。需要：

• VISA（CD上包括NI-VISA）
• Microsoft .NE Framework（CD內(nèi)提供）
• 吉時(shí)利I/O層（CD內(nèi)提供）
• Pentium III 800MHz或更快的個(gè)人電腦
• Microsoft® Windows® 98、NT、2000或XP

軟件接口：TSP Express (嵌入式)、Direct GPIB/VISA、READ/WRITE，利用VB、VC/C++、LabVIEW、LabWindows/CVI等讀寫
讀數(shù)緩沖器：為測(cè)量數(shù)據(jù)留有存儲(chǔ)區(qū)域。讀數(shù)緩沖器是測(cè)量單元陣列。每個(gè)單元可以包含以下幾項(xiàng)：

• 測(cè)量
• 測(cè)量狀態(tài)
• 時(shí)標(biāo)
• 源設(shè)置（測(cè)量進(jìn)行的時(shí)候）
• 量程信息

每個(gè)數(shù)字源表通道保留兩個(gè)讀緩沖器。可通過面板的STORE鍵填充讀緩沖器，通過RECALL鍵或主機(jī)接口進(jìn)行檢索。
緩沖器大小，帶時(shí)標(biāo)和源設(shè)置：>60000個(gè)樣本
緩沖器大小，不帶時(shí)標(biāo)和源設(shè)置：>140000個(gè)樣本
系統(tǒng)擴(kuò)展：通過TSP-Link擴(kuò)展接口，所有支持TSP功能的儀器都可以相互觸發(fā)和通信。如下圖所示：

每臺(tái)數(shù)字源表具有兩個(gè)TSP-Link接頭，以便于將儀器鏈接在一起。

• 一旦數(shù)字源表通過TSP-Link互連在一起，計(jì)算機(jī)就可以通過任一數(shù)字源表 的主接口，訪問每臺(tái)數(shù)字源表的所有資源。
• 多32個(gè)TSP-Link節(jié)點(diǎn)可以互連在一起。每臺(tái)數(shù)字源表占用一個(gè)TSP-Link 節(jié)點(diǎn)。

定時(shí)器：帶1MHz輸入時(shí)鐘自由計(jì)數(shù)的47位計(jì)數(shù)器。每次儀器加電時(shí)復(fù)位。每隔4年循環(huán)一次。
時(shí)標(biāo)：當(dāng)觸發(fā)每個(gè)儀器時(shí)，TIMER值自動(dòng)保存。
分辨率：1μs
精度：±100ppm